K9F5608U0A系列是SAMSUNG一款32M (33,554,432) x8 位的 NAND 闪存，还带有 1,024K (1,048,576) x8 位备用区，为数据的扩展和备份提供了有力支持。其 NAND 单元堪称固态大容量存储市场的 “性价比担当”，在数据处理速度方面，编程操作能在典型的 200µs 内完成 528 字节页面的编程，能快速将数据精准写入。而在 16K 字节块上进行擦除操作，典型时间仅为 2ms。页面中的数据读取速度，以每字节 50ns 的周期时间读取出来，数据传输顺畅无阻。

芯片I/O 引脚既作为地址和数据输入 / 输出端口，又作为命令输入端口，确保芯片与外部设备之间的通信高效有序。片上写入控制器会自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边界检查，让芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入密集型系统，K9F5608U0A 通过提供带实时映射算法的 ECC（错误校正码），充分利用自身 10 万次编程 / 擦除循环的扩展可靠性，为数据的准确性和稳定性保驾护航。也正因如此，K9F5608U0A系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

电压供应: 2.7V~3.6V 

存储单元阵列: (32M 1024K)位 x 8位

数据寄存器: (512 16)位 x 8位

页编程: (512 16)字节

块擦除: (16K 512)字节

528字节页读取操作

随机访问: 10µs(最大) 

串行页访问: 50ns(最小) 

快速写入周期时间

编程时间: 200µs(典型)

块擦除时间: 2ms(典型) 

命令/地址/数据复用I/O端口

硬件数据保护

电源变换期间禁止编程/擦除 

可靠的CMOS浮栅技术

耐用性: 10万次编程/擦除周期

数据保持: 10年

命令寄存器操作

智能回写

封装: K9F5608U0A-YCB0/YIB0: 48引脚TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距)

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG K9F5608U0A系列K9F5608U0A-PIB0、K9F5608U0A-PCB0、K9F5608U0A-YIB0芯片裸片离线烧录的量产需求。