在嵌入式设备、工业控制、消费电子和便携式产品中，很多关键数据都需要稳定保存。比如系统程序、参数配置、文件资料、启动信息、运行记录等，只要涉及断电后仍需保留数据，就离不开非易失性存储芯片。K9F5608U0B系列是SAMSUNG一类面向大容量非易失性存储应用的 NAND Flash 芯片。可提供 32M×8bit 或 16M×16bit 版本，总容量为 256M bit，并带有 8M bit 备用容量；器件支持 1.8V 或 3.3V 电源电压，适用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用。

从操作性能来看，K9F5608U0B系列采用典型 NAND Flash 操作结构。编程操作以页面为单位执行，X8 器件页面容量为 528 字节，X16 器件页面容量为 264 字节，典型编程时间约为 200µs。擦除操作以块为单位执行，X8 器件块容量为 16K 字节，X16 器件块容量为 8K 字，典型擦除时间约为 2ms。页面中的数据可以以每字 50ns 的周期时间读出，能够满足常见大容量非易失性存储应用对读写效率的需求。

器件的I/O 引脚既用于地址和数据的输入/输出，也用于命令输入。有助于简化系统接口设计，让主控与存储芯片之间的数据通信更集中。同时，器件具备片上写控制能力，可自动化所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边际调整。

K9F5608U0B系列可支持高达 10 万次的编程/擦除循环扩展寿命。对于写入密集型系统，可以通过带实时映射算法的 ECC，也就是错误纠正码，进一步提升数据可靠性。也正因如此，K9F5608U0B-XXB0系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

1.8V设备(K9F56XXQ0B)：1.70~1.95V 

3.3V设备(K9F56XXU0B)：2.7~3.6V 

X8设备(K9F5608X0B)：(32M 1024K)位 x 8位 

X16设备(K9F5616X0B)：(16M 512K)位 x 16位 

页面大小: X8设备(K9F5608X0B)：(512 16)字节、X16设备(K9F5616X0B)：(256 8)字 

随机访问：10µs(最大)

串行页面访问：50ns(最小)

编程时间：200微秒（典型） 

块擦除时间：2毫秒（典型）

命令/地址/数据复用 I/O 端口 

在电源切换期间程序/擦除锁定 

可靠的CMOS 浮栅技术 

耐用性：10 万次程序/擦除循环 

数据保持时间：10 年

命令寄存器操作

智能回写

用于版权保护的唯一ID 

封装：K9F56XXU0B-PCB0/PIB0 48 引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 毫米 间距） 无铅封装 

K9F56XXX0B-HCB0/HIB0 63 球 TBGA（9 x 11 / 0.8 毫米 间距，宽度 1.0 毫米）无铅封装 K9F5608U0B-FCB0/FIB0 48 引脚 WSOP I（12 x 17 x 0.7 毫米）无铅封装 

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG K9F5608U0B系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。