K9F56XXX0C系列SAMSUNG的一款NAND 闪存，它提供 32Mx8bit 或 16Mx16bit 两种版本，总容量达到 256M bit，还额外配备了 8M bit 的备用容量，为未来数据的增长和拓展提供了空间。

在供电方面，该芯片十分灵活，提供1.8V 或 3.3V Vcc 电压，能够很好地适应不同的电路环境。从数据处理速度来看，表现相当出色。典型情况下，一个程序操作针对 528 字节的 X8 器件或 264 字的 X16 器件页面，仅需 200µs 就能完成。而擦除操作针对 16K 字节的 X8 器件或 8K 字的 X16 器件块，2ms 内即可完成。页面中的数据读取，以每字 50ns 的周期时间读取，数据传输畅通无阻。

器件的I/O 引脚设计，既用于地址和数据的输入 / 输出，又负责命令输入，让芯片与外部设备之间的通信高效有序。片上写控制会自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部验证和边际调整。

对于写入密集型系统，K9F56XXX0C系列凭借自身高达 100K 次程序 / 擦除循环的扩展可靠性，结合带实时映射算法的 ECC（错误纠正码），为数据的准确性和稳定性提供了有力保障，也正因如此，K9F56XXX0C 成为大容量非易失性存储应用的最佳解决方案，广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

1.8V 设备(K9F56XXQ0C)：1.70~1.95V 

3.3V 设备(K9F56XXU0C)：2.7~3.6V 

X8 设备(K9F5608X0C)：(32M 1024K)位 x 8位 

X16 设备(K9F5616X0C)：(16M 512K)位 x 16位 

X8 设备(K9F5608X0C)：(512 16)位 x 8位 

X16 设备(K9F5616X0C)：(256 8)位 x 16位 

页面编程：X8 设备(K9F5608X0C)：(512 16)字节

X16 设备(K9F5616X0C)：(256 8)字

块擦除：X8 设备(K9F5608X0C)：(16K 512)字节

X16 设备(K9F5616X0C)：(8K 256)字 

页面大小：X8 设备(K9F5608X0C)：(512 16)字节 

X16 设备(K9F5616X0C)：(256 8)字

编程时间：200µs（典型值）

块擦除时间：2ms（典型值） 

命令/地址/数据复用 I/O 端口

硬件数据保护

在电源切换期间程序/擦除锁定

可靠的CMOS浮栅技术

耐久性：100K次程序/擦除循环 

数据保持：10年

命令寄存器操作

智能回写

独特ID用于版权保护

上电自动读取操作

安全锁机制

封装：K9F56XXU0C-PCB0/PIB0 48引脚 TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm间距)无铅封装

K9F56XXX0C-HCB0/HIB0 63球 TBGA (9 x 11 / 0.8 mm间距, 宽度1.0 mm) 无铅封装 K9F5608U0C-FCB0/FIB0 48引脚 WSOP I (12 x 17 x 0.7 mm) 无铅封装

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG  K9F5608U0C系列芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。