K9GAG08X0D系列SAMSUNG的一款16G bit NAND 闪存，配备了 872M - bit 备用空间，提供 2Gx8bit 规格，为数据的扩展和安全存储提供了有力保障。在供电方面，该芯片十分贴心，支持 2.7V 和 3.3V Vcc 电压，能够很好地适配不同的电路环境，无论是对电压要求较为严格的高端设备，还是常见的普通电路，它都能 “轻松驾驭”。

从数据处理速度来看，通常情况下，在4,314 字节的页上编程操作 800µs 内就能完成，而在 (512K 27.25K) 字节的块上擦除操作通常仅需 1.5ms；数据寄存器中的数据读取也很顺畅，可以以每字节 30ns 的周期时间读出。

器件的I/O 引脚同时作为地址和数据的输入 / 输出端口以及命令输入端口，保芯片与外部设备之间的通信高效有序。片上写入控制可以自动执行所有编程和擦除功能，包括必要时的脉冲重复，以及数据的内部校验和边界检测，让芯片内部的数据处理工作有条不紊地进行。

对于写入密集型系统，K9GAG08X0D 系列通过提供带有实时映射算法的 ECC（错误更正码），利用自身延长可靠性（TBD 次循环），为数据的准确性和稳定性保驾护航。也正因如此，K9GAG08X0D系列广泛应用于固态文件存储以及其他需要非易失性的便携式应用等领域。

主要特性：

2.7V 设备(K9G8G08B0D)：2.5V ~ 2.9V 

3.3V 设备(K9GAG08U0D)：2.7V ~ 3.6V 

存储单元阵列：(2G 109M) x 8位 

数据寄存器：(4K 218) x 8位 

块擦除：(512K 27.25K)字节 

页面大小：(4K 218)字节

随机读取：60µs(最大值) 

串行访问：30ns(最小值)

存储单元：每个存储单元2位 

快速写入周期时间

编程时间：800µs(典型值) 

块擦除时间：1.5ms(典型值) 

命令/地址/数据复用I/O端口

电源转换期间的程序/擦除锁定 

可靠的CMOS浮栅技术 

耐用度：TBD 次循环（带 TBD ECC）

数据保持：TBD 年

命令寄存器操作

用于版权保护的唯一ID 

封装：

K9GAG08U0D-PCB0/PIB0：无铅封装 48引脚 TSOP I（12 x 20 / 0.5 mm 间距） K9GAG08U0D-ICB0/IIB0 52引脚 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm 间距） 

K9LBG08U1D-ICB0/IIB0 52引脚 ULGA（12 x 17 / 1.00 mm 间距）

K9LBG08U1D-LCB0/LIB0：无铅/无卤素封装 52引脚 ULGA（14 x 18 / 1.00 mm 间距）K9HCG08U5D-LCB0/LIB0：无铅/无卤素封装 52引脚 WLGA（14 x 18 / 1.00 mm 间距）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式。可全方位满足SAMSUNG  K9GAG08U0D系列K9GAG08U0D-PIB0、K9GAG08U0D-PCB0芯片裸片离线烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片编程烧录，为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。