S35ML01G3/S35ML02G3/S35ML04G3 SPI器件是SKhynix海力士的推出的NAND存储器，分别覆盖1Gb、2Gb和4Gb容量，可满足不同产品对程序、配置文件及业务数据的存储需求。该系列支持3.3V VCC电源，并配备行业标准的串行外设接口（SPI）。它以较少的信号线实现命令、地址和数据传输，有助于减少主控制器引脚占用和PCB连接数量。与传统SPI NOR相比，SPI NAND在命令形式上保留了SPI接口易于连接的特点，同时增加了适用于NAND结构的页面读写、块擦除、状态查询和ECC管理等功能。

S35ML01G3、S35ML02G3和S35ML04G3系列采用2KB页面结构。其中，1Gb、2Gb和4Gb器件可采用（2048+128）字节页面，即每页包含2048字节主数据和128字节备用区。部分1Gb器件还提供（2048+64）字节页面选项，即2048字节主数据加64字节备用空间。备用区可以用于保存ECC校验信息、坏块标记及其他管理数据。

该系列存储空间被划分为多个可独立擦除的数据块。编程操作通常按照页面完成，擦除则按照块执行。典型情况下，一页2KB主数据的编程时间约为350µs，一个128KB块的擦除时间约为4ms。按块独立擦除的设计，使系统在更新部分数据时，可以保留其他有效区域。

该系列SPI NAND内部集成编程与擦除控制器，可自动处理读取、编程和擦除相关操作，包括必要情况下的脉冲重复、内部验证和容差设置。

该系列SPI NAND具备通电时自动加载首页数据的功能。设备上电后，可按照器件机制将首页相关内容加载至内部缓存，便于系统进行后续读取或初始化处理。

且除VCC和GND外，该系列SPI NAND通常包含六条主要信号线：

SCK：串行时钟信号 

SI：串行数据输入 

SO：串行数据输出 

CS：芯片选择信号 

HOLD#：通信暂停控制信号 

WP#：写保护控制信号

此外，该系列还提供多项数据保护功能，包括OTP(一次性可编程)区域、唯一序列号（唯一标识符）以及暂时性和永久性锁定保护。

主要特性

存储密度： 1Gb / 2Gb / 4Gb

页面大小：

1 Gb : (2048 + 64) 字节；64 字节备用区（默认）

1 Gb : (2048 + 128) 字节；128 字节备用区

2 Gb / 4 Gb: (2048 + 128) 字节；128 字节备用区

块大小：64 页

1 Gb : 128 KB + 4 KB

1 Gb : 128 KB + 8 KB

2 Gb / 4 Gb: 128 KB + 8 KB

平面大小

1 Gb: 每平面 1024 个块 或 (128 MB + 4 MB)

1 Gb: 每平面 1024 个块 或 (128 MB + 8 MB)

2 Gb: 每平面 1024 个块 或 (128 MB + 8 MB)

4 Gb: 每平面 2048 个块 或 (256 MB + 16 MB)

设备大小

1 Gb: 每设备 1 个平面 或 128 Mbyte

2 Gb: 每设备 2 个平面 或 256 Mbyte

4 Gb: 每设备 2 个平面 或 512 Mbyte

页面读/ 编程

读页面时间(tR)：45 µs (典型值)

编程时间：350 µs (典型值)

块擦除

块擦除时间：4.0 ms (典型值)

100,000 次编程/擦除循环 - 工业级 (典型值)

80,000 次编程/擦除循环 - 工业增强级 (典型值)

10 年数据保留 (典型值)

块0-7 在出货时是完好的

NAND Flash 接口

支持串行外设接口(SPI)

电源电压

3.3-V 设备：Vcc = 2.7 V ~ 3.6 V

一次性可编程(OTP) 区域

电源转换期间禁用硬件编程/擦除

易失性和永久性块保护

片上ECC 校正编程和擦除

支持单I/O、双 I/O、四 I/O

支持频率高达104MHZ

支持时钟极性和相位模式0 和 3

工作温度：工业级：–40 °C 至 85 °C、工业增强级：–40 °C 至 105 °C

封装：无铅和低卤素

8引脚 LGA 6 × 8 mm

16引脚 SOIC 300 mils

24引脚FBGA 8 × 6 mm

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