武芯烧录器支持SK海力士S34ML04G3系列芯片编程烧录
发布时间:2026-08-11 11:16:04
S34ML04G3 系列是SK海力士为固态大容量存储市场推出的一款NAND存储器,提供 3.3V VCC 电源和 x8 I/O 接口。该芯片的存储空间由多个可独立擦除的数据块组成。系统更新某一区域时,可以擦除对应目标块,同时保留其他块中的有效数据。其页面容量为(2048+128)字节,其中2048字节用于保存主要数据,128字节备用区可用于存放ECC校验信息、坏块标记及相关管理数据。
S34ML04G3采用“按页编程、按块擦除”的NAND Flash操作方式。NAND Flash通常不能直接覆盖已经编程的数据。需要更新内容时,应先擦除目标块,再按照页面写入新数据。
典型情况下,芯片可在约350µs内完成一页2KB主数据的编程,并可在约4ms内完成一个128KB数据块的擦除。
S34ML04G3采用多平面架构,可以同时对两个页面执行编程,每个平面对应一个页面;也可以同时擦除两个块,每个平面对应一个数据块。多平面操作可使编程时间减少约40%,擦除时间减少约50%。在数据量较大或生产节拍要求较高的场景中,这项功能有助于提高数据处理效率。在多平面操作中,页面数据可按照每字节约20ns的周期时间读出。
S34ML04G3的I/O引脚同时承担命令输入、地址输入及数据输入输出功能。命令、数据和地址通过CE#、WE#、ALE及CLE等控制信号异步传输:
CE#用于选择目标芯片;
WE#用于控制写入时序;
ALE用于锁存地址信息;
CLE用于锁存命令信息。
这种I/O复用方式能够减少外部引脚数量,也便于产品在更换不同容量器件时继续沿用相近的封装焊盘布局。
S34ML04G3支持CE#无关功能。在满足器件规定的操作条件时,CE#信号跳变不会立即终止当前读取过程。这一特点便于微控制器从NAND Flash中连续加载程序或数据,也可以让总线控制更加灵活。
S34ML04G3提供R/B#就绪/忙状态输出。该引脚采用开漏输出,可用于判断内部读取、编程或擦除控制器是否仍在工作。由于R/B#采用开漏结构,多个存储器的状态引脚可以连接至同一个上拉电阻,从而形成全局忙闲状态信号。
S34ML04G3提供WP#硬件写保护引脚,可对编程和擦除操作进行硬件限制,降低异常信号导致数据被修改的可能性。
芯片还提供VPE易失性保护使能输入,可以实现块粒度的硬件保护,用于防止目标区域被意外编程或擦除。VPE输入带有较弱的内部下拉。如果该引脚悬空,易失性保护功能可能处于禁用状态。
S34ML04G3支持页面重编程功能,可将数据重新编程至同一阵列部分中的另一个页面,并在符合条件时省略耗时的串行数据插入阶段。该器件还支持多平面页面重编程,可以并行处理两个页面,其中第一页位于第一平面,第二页位于第二平面。这项功能通常用于多平面页面编程失败后的数据转移。通过减少重复加载数据的过程,有助于优化坏块管理和故障恢复效率。
S34ML04G3支持单平面及多平面Copy Back操作,并允许在回读操作后读取相关数据。Copy Back可在芯片内部完成页面数据的读取和重新写入,减少数据经外部总线传出后再重新送回芯片的过程。在数据搬移、页面更新和坏块管理等场景中,这种方式可以降低外部数据传输量。
此外,S34ML04G3系列还提供OTP(一次性可编程)区域、唯一序列号(唯一标识符),以及易失性和永久性块保护等功能。
主要特性
密度:4 Gb
架构:输入/输出总线宽度:8 位
页面大小:4 Gb: (2048 + 128) 字节;128 字节备用区
块大小:64 页(4 Gb: 128 KB + 8 KB)
平面大小:4 Gb: 每平面 2048 个块 或 (256 MB + 16 MB)
设备大小:4 Gb: 每设备 2 个平面 或 512 Mbyte
NAND Flash 接口:符合 Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 标准
地址、数据和命令复用
电源电压:3.3-V 设备:Vcc = 2.7 V ~ 3.6 V
安全性:一次性可编程(OTP) 区域、序列号 (唯一 ID)、电源转换期间禁用硬件编程/擦除、易失性和永久性块保护
工作温度:工业级:-40°C 至 85°C
工业增强级:-40°C 至 105°C
附加特性:多平面编程和擦除命令、回写编程(Copy Back Program)、多平面回写编程 (Multiplane Copy Back Program)、上电后首次命令须为复位命令 (FFH)
读页面时间(tR):-45 µs (典型值) / 单平面、-55 µs (典型值) / 多平面、编程时间 / 多平面编程时间:350 µs (典型值)
块擦除/ 多平面擦除:块擦除时间:4 ms (典型值)
可靠性:60,000 次编程/擦除循环 (典型值)(每 544 字节 1-bit ECC)、10 年数据保留 (典型值)、块 0-7 在出货时是完好的
封装选项:无铅和低卤素
48 引脚 TSOP 12 × 20 × 1.2 mm
63 引脚 BGA 9 × 11 × 1 mm
67 引脚 BGA 8 × 6.5 × 1 mm

内部框图
武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商,专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时,也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录,同时提供联机、脱机等工作模式,可全方位满足SKhynix海力士S34ML04G3系列芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计,编程带宽高达1.6Gb/s;内置128GB eMMC母头模块,能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率;配备4.3英寸LCD触摸屏,优化脱机操作的交互体验;支持“一拖八”并行烧录,可实现复杂多样的烧录需求;且设备集成多种丰富接口,涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等,灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件,支持自动化场景定制,适配智能化产线需求;支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片,烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片(IC)烧录解决方案。