S34ML01G3，S34ML02G3系列是SK海力士面向大容量非易失性存储应用的NAND存储器，均采用3.3V VCC供电，提供x8 I/O接口。芯片内部存储空间被划分成多个可独立擦除的数据块。更新数据时，系统可以针对目标块执行擦除，同时保留其他数据块中的有效内容。该系列采用2KB页面结构，每页包含2048字节主数据区及对应的备用区。

S34ML01G3和S34ML02G3采用NAND Flash常见的“按页编程、按块擦除”方式。典型情况下，芯片可以在约350µs内完成一页2KB主数据的编程，并在约4ms内完成一个128KB数据块的擦除。ECC即错误校正码，是NAND Flash数据管理中的重要组成部分。在数据写入时，系统根据原始内容生成校验信息；读取数据时，再通过这些信息检测并纠正一定范围内的数据差异。S34ML01G3和S34ML02G3的片上ECC设计兼顾与既有应用节点的兼容性，也可配合具有1-bit、4-bit或8-bit ECC引擎的应用处理器使用。

该系列I/O引脚同时承担命令输入、地址输入以及数据输入输出功能。芯片通过CE#、WE#、ALE和CLE等控制信号，区分当前总线上传输的信息：

CE#负责选择目标芯片；

WE#参与控制写入时序；

ALE用于锁存地址；

CLE用于锁存命令。

这种接口设计能够减少外部引脚数量，同时方便产品在不同容量器件之间进行设计迁移，无需大幅调整封装焊盘布局。

S34ML01G3和S34ML02G3支持CE#无关功能。在符合器件规定的读取条件时，CE#信号发生跳变不会立即终止当前读取操作。这使微控制器能够更灵活地从NAND Flash加载程序或数据。该功能有助于简化部分系统的读取控制，但实际使用仍要满足芯片规定的命令顺序和时序条件。

S34ML01G3和S34ML02G3内部集成编程与擦除控制器，可自动执行读取、编程和擦除操作，包括必要的脉冲重复、内部数据验证及容限测试。

芯片还提供R/B#就绪/忙输出，用于表示内部控制器是否处于活动状态。由于R/B#采用开漏输出，多个存储器的R/B#可以连接到同一个上拉电阻，形成全局状态信号。这种方式适合多芯片系统，但仍需结合芯片选择信号判断具体器件的状态。

S34ML01G3和S34ML02G3提供WP#写保护引脚，可以从硬件层面对编程和擦除操作进行限制。

芯片还提供VPE易失性保护使能输入，用于实现块粒度的数据保护，降低指定区域被意外编程或擦除的风险。VPE带有较弱的内部下拉。如果该引脚处于悬空状态，易失性保护功能可能被禁用。

S34ML01G3和S34ML02G3支持页面重编程功能。在满足器件规定的条件时，可将数据编程到同一阵列部分中的另一个页面，并省略部分串行数据重新插入过程。这一功能有助于优化编程失败后的数据迁移效率，但不能替代坏块管理。系统仍需记录失败页面或数据块，并更新对应的映射关系。

此外，S34ML01G3，S34ML02G3系列还提供OTP（一次性可编程）区域、唯一序列号（唯一标识符），以及易失性和永久性块保护等功能。

主要特性

存储密度：1 Gb / 2 Gb

输入/输出总线宽度：8 位

页面大小

1 Gb: (2048 + 64) 字节；64 字节备用区（默认）

1 Gb: (2048 + 128) 字节；128 字节备用区（联系销售获取 128 字节备用区选项）

2 Gb: (2048 + 128) 字节；128 字节备用区

块大小：64 页

1 Gb: 128 KB + 4 KB

1 Gb: 128 KB + 8 KB

2 Gb: 128 KB + 8 KB

平面大小

1 Gb: 每个平面 1024 个块 或 (128 MB + 4 MB)

2 Gb: 每个平面 1024 个块 或 (128 MB + 8 MB)

设备大小

1 Gb: 每个设备 1 个平面 或 128 Mbyte

2 Gb: 每个设备 2 个平面 或 256 Mbyte

NAND 闪存接口

符合开放NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准

地址、数据和命令复用

页面读取/ 编程

读取页面时间(tR):

45 µs (典型值) / 单平面

55 µs (典型值) / 多平面

编程时间/ 多平面编程时间：350 µs (典型值)

块擦除/ 多平面擦除

块擦除时间：4 ms (典型值)

NAND 闪存接口

符合开放NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准

地址、数据和命令复用

电源电压

3.3-V 设备：VCC = 2.7 V ~ 3.6 V

安全性

一次性可编程(OTP) 区域

序列号(唯一 ID)

电源转换期间禁用硬件编程/擦除

易失性和永久性块保护

电子签名

制造商标ID：01h

设备ID：遵循单芯片和堆叠芯片实施的行业标准

工作温度

工业级：–40°C 至 85°C

工业增强级：–40°C 至 105°C

附加特性

回拷编程(S34ML02G3)

上电后作为第一条命令需要复位(FFh) 命令

可靠性

100,000 次编程/擦除循环 - 工业级 (典型值)

10 年数据保留 (典型值)

出货时块0-7 是完好的

封装选项

无铅和低卤素

48 引脚 TSOP 12 × 20 × 1.2 mm

63 引脚 BGA 9 × 11 × 1 mm

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足SKhynix海力士S34ML01G3，S34ML02G3系列芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。