TC58CVG0S3HRAIJ 是KIOXIA铠侠一款用于嵌入式应用的串行接口NAND Flash 存储器，通过SPI总线完成命令、地址和数据传输。与并行NAND相比，SPI NAND所需的外部信号更少，有助于降低主控制器引脚占用，简化PCB连接。与常见SPI NOR相比，它更适合需要较大存储容量的应用。

该器件采用（2048+64）字节页面结构，2048字节主数据区用于保存程序、文件、配置参数及业务数据。64字节备用区，可用于存放ECC校验信息、坏块标记和相关管理数据。每个数据块包含64个页面，存储阵列由1024个块组成。

该器件内部配置一个2112字节数据缓冲区，容量正好对应一页的2048字节主数据加64字节备用区。进行页面读取时，芯片先将存储阵列中的一页数据转移到内部缓冲区，外部控制器再通过SPI接口读取缓冲区中的内容。

擦除操作以数据块为基本单位。单个块由64个页面组成，对应128KB主数据与4KB备用区。即使只需要修改其中一个页面，也不能直接擦除单个页面。系统通常需要先保存块内仍然有效的数据，擦除整个块，再把更新后的数据重新写回，这种结构有利于提高存储密度。

该器件支持用于顺序页面读取的高速模式。普通页面读取需要先将数据从存储阵列转移到内部缓冲区，这一过程会产生页面读取时间tR。当启用符合条件的高速模式后，连续读取场景中的平均tR可以缩短。

且C58CVG0S3HRAIJ内部集成ECC逻辑，可针对每个（512+16）字节的数据范围，纠正最多8位读取错误。其中，512字节对应主数据片段，16字节对应相关备用空间。一个（2048+64）字节页面可以划分为4个这样的ECC处理单元。

主要特性：

组织结构（内部 ECC 已启用，默认）

存储单元阵列：2112 × 64 × 1024 × 8 位

数据缓冲区：2112 × 8 位页大小 2112 字节（128K × 4K 字节）

组织结构（内部 ECC 已禁用）

存储单元阵列：2176 × 64 × 1024 × 8 位

数据缓冲区：2176 × 8 位页大小 2176 字节（128K × 8K 字节）

ECC: 该设备内部带有 ECC 逻辑。 当内部 ECC 被禁用时，每 512 字节需要 8 位 ECC

工作模式：页面读取、页面编程、块擦除、内部数据移动、复位、写使能、写禁止、块锁定、获取特性、设置特性、块保护、参数页面读取、读取 ID、读取唯一 ID

电源：VCC = 2.7 V 至 3.6 V

访问时间：从单元阵列到数据缓冲区、数据传输速率

编程/擦除时间编程时间：180 μs 

最大块擦除时间：70 μs 典型

最大数据传输率：133 MHz

每页编程时间：360 μs 典型

每块擦除时间：2.0 ms 典型

工作电流读取操作电流（HSE 开启，平均）：27 mA

最大读取操作电流（HSE 关闭，平均）：22 mA

最大编程操作电流（平均）：26 mA 

最大擦除操作电流（平均）：28 mA 

最大待机电流：190 μA 最大，30 μA 典型

封装：WSON8 (P-WSON8-0608-1.27-003)

重量：0.12g 典型

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足KIOXIA铠侠

TC58CVG2S0HRAIJ芯片的裸片离线烧录与在板烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。