TC58CVG0S3HRAIJ是KIOXIA铠侠一款面向嵌入式应用的串行接口 NAND Flash 存储器，通过SPI接口完成命令、地址和数据传输。该器件组织方式采用(4096×128）字节的数据组织方式，共包含64页和2048个块。从页面结构来看，每页由4096字节主数据区和128字节备用区组成，整页容量为4224字节。

TC58CVG0S3HRAIJ内部配置4224字节数据缓冲区，可以在数据缓冲区和存储阵列之间，以4224字节为单位传输页面数据。在页面编程时，外部控制器通常先通过SPI接口将一整页数据加载到内部缓冲区，再发送编程执行命令，由芯片内部控制器将数据写入存储阵列。页面读取时，芯片先把目标页面内容传输到数据缓冲区，外部主控再通过SPI接口读取。

该器件支持高速模式，可用于连续页面读取。当启用高速模式后，连续读取操作中的tR平均时间可以缩短。在需要连续加载程序、读取大容量文件或顺序访问存储内容的系统中，高速模式有助于减少页面之间的等待时间。并且该器件内部集成ECC逻辑，可对每个（512字节主数据+16字节校验空间）范围内的最多8位读取错误进行纠正。

主要特性：

组织结构（内部 ECC 已启用，默认）

存储单元阵列：4224 × 64 × 2048 × 8 位

数据缓冲区：4224 × 8 位

页大小 4224 字节

块大小 (256K × 8K) 字节

组织结构（内部 ECC 已禁用）

存储单元阵列：4352 × 64 × 2048 × 8 位

数据缓冲区：4352 × 8 位

页大小 4352 字节

块大小 (256K × 16K) 字节

ECC：设备内部具有 ECC 逻辑。内部 ECC 禁用时，每 512 字节需要 8 位 ECC。

工作模式：页面读取，页面编程，块擦除，内部数据移动，复位，写使能，写禁止，块锁定，获取特征，设置特征，块保护，参数页面读取，读取 ID，读取唯一 ID 

电源：VCC = 2.7 V 至 3.6 V

访问时间：存储单元到数据缓冲区、数据传输速率

编程/擦除时间

编程时间：300 μs 最大

块擦除时间：115 μs 典型

最大频率：133 MHz

每页典型：450 μs

每块典型：2.0 ms

工作电流

开启 HSE 时的读操作电流（平均）：27 mA 最大

关闭 HSE 时的读操作电流（平均）：26 mA 最大

编程操作电流（平均）：28 mA 最大

擦除操作电流（平均）：210 μA 最大

待机电流：30 μA 典型

封装：WSON8 (P-WSON8-0608-1.27-003)

重量：0.12g典型

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足KIOXIA铠侠

TC58CVG0S3HRAIJ芯片的裸片离线烧录与在板烧录的量产需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。