TC58BVG0S3HTA00是TOSHIBA东芝一款采用单电源3.3V供电的1Gbit NAND E²PROM，存储容量为1,107,296,256位。其存储阵列组织方式为（2048+64）字节×64页×1024块，每个页面由2048字节主数据区和64字节备用区组成，每个数据块包含64个页面，芯片内部共有1024个块。

TC58BVG0S3HTA00内部集成一个2112字节的静态寄存器，其容量正好对应一个完整页面，即2048字节主数据加64字节备用区。页面读取时，芯片会先将目标页面的数据从存储单元阵列转移到静态寄存器，外部控制器再通过I/O接口读取寄存器中的内容。页面编程时，操作方向相反：外部控制器先将数据输入静态寄存器，再发送编程确认命令，由芯片内部控制器将整页数据写入存储阵列。

TC58BVG0S3HTA00通过I/O引脚复用完成命令输入、地址输入以及数据输入输出。其擦除和编程操作均可自动完成，这种片上自动控制机制减少了外部系统对底层高压脉冲过程的直接干预，有助于简化控制流程。并且该器件内部集成ECC逻辑，可对每528字节范围内的数据自动纠正最多8位读取错误。因此非常适用于固态文件存储、语音录音、数码相机图像存储以及其他需要高密度非易失性数据存储的应用系统。

主要特性：

组织结构x 8 

内存单元阵列2112 × 64K × 8 

寄存器2112 × 8 

页面大小2112 字节

块大小（128K × 4K）字节 

模式：读取，复位，自动页面编程，自动块擦除，状态读取，页面拷贝，ECC状态读取 

模式控制：串行输入/输出、命令控制 

有效块数量：最小1004 块、最大 1024 块

电源VCC = 2.7V 到 3.6V 

存取时间：单元阵列到寄存器40 µs 典型 

串行读取周期：最小25纳秒（CL=50pF） 

编程/擦除时间 

自动页面编程：典型值330微秒/页

自动块擦除：典型值2.5毫秒/块

工作电流：

读取（25 ns 周期） 最大 30 mA 

编程（平均值）最大30 mA 

擦除（平均值）最大30 mA 

待机最大50 µA

封装：TSOP I 48-P-1220-0.50（重量：典型 0.53 g）

片内集成ECC：每 528 字节支持 8 位纠错

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58BVG0S3HTA00芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。