TC58BVG1S3HTA00是TOSHIBA东芝一款采用单电源3.3V供电的NAND E²PROM，容量为2Gbit，即2,214,592,512位。其存储阵列组织方式为（2048+64）字节×64页×2048块，每个页面包含2048字节主数据区和64字节备用区，每个数据块由64页组成，整颗芯片共有2048个块。主数据区可用于保存程序、语音、图像、配置参数和业务文件；备用区则通常用于存放ECC校验信息、坏块标记及其他管理数据。

芯片内部集成一个2112字节静态寄存器，容量正好对应一个完整页面：2048字节主数据+64字节备用区=2112字节。进行读取操作时，芯片会先将目标页面从存储阵列转移至静态寄存器，外部控制器再通过I/O接口读取寄存器中的数据。执行编程操作时，外部设备先将数据加载至静态寄存器，再发送编程确认命令，由芯片内部控制器将页面内容写入存储单元阵列。

TC58BVG1S3HTA00通过复用I/O引脚完成命令、地址和数据传输。在命令阶段，I/O引脚负责接收读取、编程或擦除指令；在地址阶段，用于输入列地址和页面地址；进入数据阶段后，再负责数据输入或输出。并且内部控制器能够自动完成编程和擦除过程，因此该器件非常适用于固态文件存储、语音记录、数码相机图像存储以及其他需要高密度非易失性数据存储的系统。

主要特性：

组织方式：x8
存储单元阵列：2112 × 128K × 8
寄存器：2112 × 8
页大小：2112 字节
块大小：(128K + 4K) 字节 

工作模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页读取、多页编程、多块擦除、ECC 状态读取 

模式控制：串行输入/输出，命令控制 

有效块数量：最少2008 个块，最多 2048 个块 

电源电压：VCC = 2.7 V 至 3.6 V 

存取时间：

存储单元阵列到寄存器：单页读取典型值40 µs；多页读取典型值 55 µs 

串行读取周期：最小值25 ns（负载电容 CL = 50 pF）

编程/擦除时间： 

自动页编程：典型值330 µs/页 

自动块擦除：典型值2.5 ms/块

工作电流：

读取（25 ns 周期）：最大 30 mA 

编程（平均值）：最大30 mA 

擦除（平均值）：最大30 mA 

待机：最大50 µA

封装：TSOP I 48-P-1220-0.50（典型重量：0.53 g） 

片内集成ECC：每 528 字节支持 8 位纠错

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58BVG1S3HTA00芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。