TC58DVG02A1FT00是一款采用单电源3.3V供电的NAND E²PROM，容量为1Gbit，即1,107,296,256位。每个页面的528字节通常由512字节主数据区和16字节备用区组成；每个数据块包含32个页面，整颗芯片共有8192个块。主数据区可用于保存程序、语音、图像、配置参数及业务文件；备用区则通常用于存放ECC校验信息、坏块标记和其他管理数据。

TC58DVG02A1FT00内部设置一个528字节静态寄存器，其容量与一个完整页面一致。进行页面读取时，芯片先将目标页面从存储单元阵列传输至静态寄存器，外部控制器再通过I/O引脚读取寄存器中的数据。进行编程时，先把页面数据加载至静态寄存器，再发送相应的编程确认命令，由芯片内部控制器将内容写入存储阵列。

该器件内部控制器可自动执行编程和擦除操作。外部设备负责发送正确的命令、地址和页面数据，芯片内部则完成具体的存储单元操作，并通过状态信息反馈执行结果，片上自动控制简化了外部操作。因此该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、数码相机图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储的数据存储系统。

主要特性：

组织存储单元528 × 256K × 8 

寄存器528 × 8 

页大小528 字节 

块大小(16K × 512) 字节 

模式：读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、多块编程、多块擦除模式控制串行输入/输出 命令控制

电源VCC：2.7 V 到 3.6 V

编程/擦写周期：1E5 周期（带 ECC）

访问时间

存储单元到寄存器25 μs 最大

串行读取周期50 ns 最小

工作电流

读取（50 ns 周期）典型 10 mA

编程（平均）典型10 mA

擦写（平均）典型10 mA

待机最大50 μA

封装：TSOPI48-P-1220-0.50（重量：典型 g）

内部框图

武芯科技作为通用型芯片烧录器制造商，专注于IC烧录、测试领域。在持续优化更新烧录软件的同时，也在积极扩充和兼容各大厂商的芯片型号的烧录。ET9800烧录器支持一拖八烧录，同时提供联机、脱机等工作模式，可全方位满足TOSHIBA东芝TC58DVG02A1FT00芯片的裸片离线烧录需求。

ET9800是一款支持联机、脱机的量产型高速烧录器。采用高性能ARM+FPGA的硬件架构设计，编程带宽高达1.6Gb/s；内置128GB eMMC母头模块，能高效提升eMMC母片拷贝的量产效率；配备4.3英寸LCD触摸屏，优化脱机操作的交互体验；支持“一拖八”并行烧录，可实现复杂多样的烧录需求；且设备集成多种丰富接口，涵盖100/1000M以太网、SD卡、USB2.0 Device、RS-232串口、电源开关及接地端子等，灵活适配多元应用场景。同时提供上位机与下位机软件，支持自动化场景定制，适配智能化产线需求；支持各大厂商各种封装的MCU、eMMC、SPI、Nor/Nand flash、Parallel Nor/Nand flash、EEPROM及DSP等类型芯片，烧写稳定、高效。为客户提供创新的多场景芯片（IC）烧录解决方案。